32μm 10G InGaAs фотодиод TO46

 

 

• Висока чувствителност (по-голяма или равна на 0,7 A/W): Осигурява ефективно преобразуване на сигнала, намалявайки консумацията на енергия за широко{0}}производство на оптични модули-идеално за купувачи на едро на InGaAs фотодиод TO46, фокусирани върху енергийната ефективност.

• Нисък тъмен ток (По-малко или равно на 1nA при 5V): Минимизира шума на сигнала, критичен за-прецизни телекомуникационни и сензорни приложения. Това предимство намалява процентите на неуспех при масово внедряване.

• Нисък капацитет (по-малък или равен на 0,25pF): Позволява стабилна производителност на 10G честотна лента, отговаряща на изискванията за скорост на 10G SFP+ модули и мрежи от центрове за данни.

• Пакет за лазерно заваряване и TO-CAN: Подобрява механичната стабилност и термичната устойчивост (-40~85 градуса работна температура), осигурявайки дълъг експлоатационен живот (повече от или равен на 50 000 часа) и намалявайки разходите за подмяна при масови клиенти на InGaAs Photodiode.

• Ниска обратна загуба (по-голяма или равна на 35dB): Намалява отражението на сигнала, подобрявайки целостта на системата-, което е от съществено значение за проектите за телекомуникационна инфраструктура.

 

 

• Телеком мрежи: Съвместим с SDH/SONET системи, поддържащ високо{0}}скоростно приемане на сигнала при-оптични връзки на дълги разстояния-идеално за високи надеждност 32μm InGaAs фотодиод за телекомуникационни доставки.

• 10G SFP+ оптични модули: Използва се в приемо-предаватели на центрове за данни за преобразуване на оптични сигнали в електрически сигнали, с нисък капацитет (по-малък или равен на 0,25pF), осигуряващ минимална загуба на сигнал.

• Фиброоптично наблюдение: Идеален за промишлени сензорни системи (напр. лазерно измерване на обхвата, температурен мониторинг) благодарение на широката си работна дължина на вълната (1100-1650n) и ниския тъмен ток.

• Индустриална автоматизация: Интегриран в оптично комуникационно оборудване за фабрична автоматизация, където дългият експлоатационен живот (чрез лазерно заваряване) намалява разходите за поддръжка за купувачи на едро на InGaAs фотодиод TO46.

 

Продажба на единици	Единичен артикул
Единичен размер на опаковката	20X15X5 см (Гъвкава опаковка, подходяща за международен транспорт)
Единично бруто тегло	0,250 кг

Количество (броя)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Време за изпълнение (дни)	14	20	30	По договаряне

Ние предлагаме персонализирани InGaAs фотодиодни ODM решения, които отговарят на вашите специфични изисквания:

• Персонализируеми параметри: Диаметър на фоточувствителната зона (32 μm/50 μm/75 μm), тип опаковка (TO46/TO56), дължина на кабела и дизайн на лещата.

• Цикъл на развитие: 7-15 дни (първа проба; масовото производство започва след одобрение на пробата).

 

Параметър	Символ	Мин.	Тип	Макс.	единица
Сила на насищане	Пс	3	-	-	dBm
Преден ток	Ако	-	-	10	mA
Реверсивно напрежение	Вр	-	5	15	V
Работна температура на кутията	Топ	-40	-	85	степен
Температура на съхранение	Tstg	-40	-	85	степен
Запояване на олово (температура/време)	-	-	260/10	-	степен /Сек

 

Параметър	Символ	Мин.	Тип	Макс.	единица	Тестово състояние
Работна дължина на вълната	λ	1100	-	1650	nm
Отзивчивост	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Тъмно течение	Id	-	0.2	1	nA	Vr=5V
Капацитет	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz, кутията е отворена
Честотна лента	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 товар с дължина на кабела=6mm, кутия отворена
Оптична обратна загуба	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Популярни тагове: 32μm 10g ingaas фотодиод to46, Китай 32μm 10g ingaas фотодиод to46 производители, доставчици, фабрика